0 0 0
  8. APT1001RBVFRG

Транзистори з каналом N THT APT1001RBVFRG

 
APT1001RBVFRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429468
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 11А; Idm: 44А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 165.77 грн
3+
1 102.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
278Вт(1741771)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
150нКл(1479389)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
44А(1789214)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT1001RBVFRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429468
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 11А; Idm: 44А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 165.77 грн
3+
1 102.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
278Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
150нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
44А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g