0 0 0
  8. APT1001RSVRG

Транзистори з каналом N SMD APT1001RSVRG

 
APT1001RSVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429405
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 11А; Idm: 44А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 578.54 грн
2+
1 493.27 грн
3+
1 492.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 26 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
280Вт(1740832)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
225нКл(1694855)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
44А(1789214)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,985 g
 
Транзистори з каналом N SMD APT1001RSVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429405
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 11А; Idm: 44А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 578.54 грн
2+
1 493.27 грн
3+
1 492.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 26 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
280Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
225нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
44А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,985 g