Транзисторы с каналом N THT APT10026L2FLLG

 
APT10026L2FLLG
 
Артикул: 429470
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 38А; Idm: 152А; 893Вт; TO264MAX
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 261.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264MAX(1492376)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
38А(1479331)
Опір в стані провідності
0,26Ом(1596288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
893Вт(1823182)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
267нКл(1705686)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
152А(1789199)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT10026L2FLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429470
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 38А; Idm: 152А; 893Вт; TO264MAX
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 261.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264MAX
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
38А
Опір в стані провідності
0,26Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
893Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
267нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
152А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g