0 0 0
  8. APT10035B2FLLG

Транзистори з каналом N THT APT10035B2FLLG

 
APT10035B2FLLG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429472
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 28А; Idm: 112А; 690Вт; TO247MAX
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 523.59 грн
2+
2 386.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
370мОм(1593806)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
690Вт(1742088)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
186нКл(1479564)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
112А(1812410)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT10035B2FLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429472
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 28А; Idm: 112А; 690Вт; TO247MAX
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 523.59 грн
2+
2 386.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
370мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
690Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
186нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
112А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g