Транзистори з каналом N THT APT10035LLLG

 
APT10035LLLG
 
Артикул: 429474
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 28А; Idm: 112А; 690Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 464.68 грн
2+
2 330.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
0,35Ом(1492258)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
690Вт(1742088)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
186нКл(1479564)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
112А(1812410)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT10035LLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429474
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 28А; Idm: 112А; 690Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 464.68 грн
2+
2 330.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
0,35Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
690Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
186нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
112А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g