0 0 0
  8. APT1003RSLLG

Транзистори з каналом N SMD APT1003RSLLG

 
APT1003RSLLG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429407
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 094.86 грн
2+
757.00 грн
4+
715.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
139Вт(1741802)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N SMD APT1003RSLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429407
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 094.86 грн
2+
757.00 грн
4+
715.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
139Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
34нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g