0 0 0
  8. APT10086BVFRG

Транзистори з каналом N THT APT10086BVFRG

 
APT10086BVFRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429487
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 13А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 557.82 грн
2+
1 473.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
13А(1441372)
Опір в стані провідності
860мОм(1775145)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
275нКл(1634339)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
52А(1789218)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT10086BVFRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429487
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 13А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 557.82 грн
2+
1 473.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
13А
Опір в стані провідності
860мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
275нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
52А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g