0 0 0
  8. APT100GN120B2G

Транзистори IGBT THT APT100GN120B2G

 
APT100GN120B2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418023
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 100А; 960Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 378.70 грн
2+
2 249.45 грн
30+
2 163.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
100А(1441720)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Час ввімкнення
0,1мкс(1519240)
Час вимкнення
935нс(1814608)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
960Вт(1745496)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
540нКл(1748251)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,855 g
 
Транзистори IGBT THT APT100GN120B2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418023
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 100А; 960Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 378.70 грн
2+
2 249.45 грн
30+
2 163.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
100А
Струм колектора в імпульсі
300А
Час ввімкнення
0,1мкс
Час вимкнення
935нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
960Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
540нКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,855 g