0 0 0
  7. APT100GN120J

Модулі IGBT APT100GN120J

 
APT100GN120J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425655
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 606.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
70А(1441697)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Використання
для UPS(1471489) SMPS(1630382) 3-фазні двигуни BLDC(1492838) для індукційного навантаження(1490370)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT100GN120J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425655
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 606.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
70А
Струм колектора в імпульсі
300А
Використання
для UPS
Використання
SMPS
Використання
3-фазні двигуни BLDC
Використання
для індукційного навантаження
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g