0 0 0
  7. APT100GT120JRDQ4

Модулі IGBT APT100GT120JRDQ4

 
APT100GT120JRDQ4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425658
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 293.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
67А(1791005)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
NPT(1714552) Thunderblot IGBT®(1694424)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT100GT120JRDQ4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425658
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 293.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
67А
Струм колектора в імпульсі
200А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
NPT
Технологія
Thunderblot IGBT®
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g