Транзисторные модули MOSFET APT100M50J

 
APT100M50J
 
Артикул: 440425
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 65А; ISOTOP; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 641.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
65А(1441313)
Опір в стані провідності
36мОм(1479276)
Потужність розсіювання
960Вт(1745496)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
490А(1823249)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT100M50J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440425
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 65А; ISOTOP; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 641.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
65А
Опір в стані провідності
36мОм
Потужність розсіювання
960Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
490А
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g