0 0 0
  8. APT102GA60B2

Транзистори IGBT THT APT102GA60B2

 
APT102GA60B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418025
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 097.24 грн
3+
1 037.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
102А(1694304)
Струм колектора в імпульсі
307А(1694305)
Час ввімкнення
64нс(1441705)
Час вимкнення
389нс(1814609)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
780Вт(1741885)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
294нКл(1694306)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT102GA60B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418025
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 097.24 грн
3+
1 037.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
102А
Струм колектора в імпульсі
307А
Час ввімкнення
64нс
Час вимкнення
389нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
780Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
294нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g