0 0 0
  8. APT106N60B2C6

Транзистори з каналом N THT APT106N60B2C6

 
APT106N60B2C6
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429491
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 68А; Idm: 318А; 833Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 631.13 грн
2+
1 541.88 грн
10+
1 507.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
68А(1492242)
Опір в стані провідності
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
833Вт(1741843)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
308нКл(1705680)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
318А(1823185)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,81 g
 
Транзистори з каналом N THT APT106N60B2C6
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429491
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 68А; Idm: 318А; 833Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 631.13 грн
2+
1 541.88 грн
10+
1 507.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
68А
Опір в стані провідності
35мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
833Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
308нКл
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
318А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,81 g