0 0 0
  8. APT10M11LVRG

Транзистори з каналом N THT APT10M11LVRG

 
APT10M11LVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429494
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 100В; 100А; 520Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 866.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
450нКл(1750624)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT10M11LVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429494
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 100В; 100А; 520Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 866.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
450нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g