0 0 0
  8. APT10M19SVRG

Транзистори з каналом N SMD APT10M19SVRG

 
APT10M19SVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429411
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 100В; 75А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 008.00 грн
3+
953.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
75А(1441317)
Опір в стані провідності
19мОм(1441301)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
300нКл(1479621)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N SMD APT10M19SVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429411
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 100В; 75А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 008.00 грн
3+
953.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
75А
Опір в стані провідності
19мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
300нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g