0 0 0
  8. APT10M25BVRG

Транзистори з каналом N THT APT10M25BVRG

 
APT10M25BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429496
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 100В; 75А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 082.90 грн
2+
753.01 грн
4+
711.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
75А(1441317)
Опір в стані провідності
25мОм(1441552)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
225нКл(1694855)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT10M25BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429496
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 100В; 75А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 082.90 грн
2+
753.01 грн
4+
711.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
75А
Опір в стані провідності
25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
225нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g