0 0 0
  8. APT11F80B

Транзистори з каналом N THT APT11F80B

 
APT11F80B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429497
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 46А; 337Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
597.63 грн
3+
415.95 грн
7+
392.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
337Вт(1737072)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
46А(1789212)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT11F80B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429497
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 46А; 337Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
597.63 грн
3+
415.95 грн
7+
392.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
337Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
80нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
46А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g