0 0 0
  8. APT1201R2BFLLG

Транзистори з каналом N THT APT1201R2BFLLG

 
APT1201R2BFLLG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429499
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 48А; 403Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 046.28 грн
2+
1 935.52 грн
3+
1 934.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
1,25Ом(1441390)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
403Вт(1742135)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
0,1мкКл(1950532)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
48А(1741686)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT1201R2BFLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429499
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 48А; 403Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 046.28 грн
2+
1 935.52 грн
3+
1 934.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
1,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
403Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
0,1мкКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
48А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g