0 0 0
  8. APT1201R5BVFRG

Транзистори з каналом N THT APT1201R5BVFRG

 
APT1201R5BVFRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429502
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 133.14 грн
2+
2 016.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
285нКл(1739901)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT1201R5BVFRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429502
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 133.14 грн
2+
2 016.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
285нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g