0 0 0
  8. APT1201R6SVFRG

Транзистори з каналом N SMD APT1201R6SVFRG

 
APT1201R6SVFRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429413
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 525.15 грн
2+
1 442.28 грн
3+
1 441.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
280Вт(1740832)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
230нКл(1694419)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N SMD APT1201R6SVFRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429413
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 525.15 грн
2+
1 442.28 грн
3+
1 441.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
280Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
230нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g