0 0 0
  8. APT12M80B

Транзистори з каналом N THT APT12M80B

 
APT12M80B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429515
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 45А; 335Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
590.46 грн
3+
410.37 грн
7+
388.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
335Вт(1823188)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
45А(1742464)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT12M80B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429515
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 45А; 335Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
590.46 грн
3+
410.37 грн
7+
388.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
335Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
80нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
45А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g