0 0 0
  8. APT13GP120BDQ1G

Транзистори IGBT THT APT13GP120BDQ1G

 
APT13GP120BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418026
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
895.98 грн
2+
654.93 грн
3+
654.14 грн
5+
619.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 82 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
20А(1440977)
Струм колектора в імпульсі
50А(1441694)
Час ввімкнення
21нс(1618355)
Час вимкнення
270нс(1713783)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
55нКл(1632980)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,095 g
 
Транзистори IGBT THT APT13GP120BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418026
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
895.98 грн
2+
654.93 грн
3+
654.14 грн
5+
619.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 82 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
20А
Струм колектора в імпульсі
50А
Час ввімкнення
21нс
Час вимкнення
270нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
250Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
55нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,095 g