0 0 0
  8. APT14M100B

Транзистори з каналом N THT APT14M100B

 
APT14M100B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429517
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
827.12 грн
2+
572.93 грн
3+
572.13 грн
5+
541.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
9А(1441543)
Опір в стані провідності
880мОм(1638696)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
55А(1792090)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT14M100B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429517
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
827.12 грн
2+
572.93 грн
3+
572.13 грн
5+
541.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
9А
Опір в стані провідності
880мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
500Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
0,12мкКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
55А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g