0 0 0
  7. APT150GN120JDQ4

Модулі IGBT APT150GN120JDQ4

 
APT150GN120JDQ4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425662
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 732.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
99А(1500577)
Струм колектора в імпульсі
450А(1595954)
Використання
для UPS(1471489) SMPS(1630382) 3-фазні двигуни BLDC(1492838) для індукційного навантаження(1490370)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT150GN120JDQ4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425662
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 732.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
99А
Струм колектора в імпульсі
450А
Використання
для UPS
Використання
SMPS
Використання
3-фазні двигуни BLDC
Використання
для індукційного навантаження
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g