0 0 0
  8. APT150GN60LDQ4G

Транзистори IGBT THT APT150GN60LDQ4G

 
APT150GN60LDQ4G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418029
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 129.73 грн
2+
2 013.96 грн
3+
2 013.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
123А(1612549)
Струм колектора в імпульсі
450А(1595954)
Час ввімкнення
154нс(1814611)
Час вимкнення
575нс(1750756)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
536Вт(1741828)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
970нКл(1814610)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT150GN60LDQ4G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418029
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 129.73 грн
2+
2 013.96 грн
3+
2 013.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
123А
Струм колектора в імпульсі
450А
Час ввімкнення
154нс
Час вимкнення
575нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
536Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
970нКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g