0 0 0
  8. APT15GN120BDQ1G

Транзистори IGBT THT APT15GN120BDQ1G

 
APT15GN120BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418030
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 22А; 195Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
753.70 грн
2+
501.93 грн
6+
474.85 грн
10+
474.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
22А(1441633)
Струм колектора в імпульсі
45А(1645254)
Час ввімкнення
19нс(1634219)
Час вимкнення
355нс(1814612)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
195Вт(1741754)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
90нКл(1479429)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT15GN120BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418030
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 22А; 195Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
753.70 грн
2+
501.93 грн
6+
474.85 грн
10+
474.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
22А
Струм колектора в імпульсі
45А
Час ввімкнення
19нс
Час вимкнення
355нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
195Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
90нКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g