0 0 0
  8. APT15GP60BDQ1G

Транзистори IGBT THT APT15GP60BDQ1G

 
APT15GP60BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418031
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 27А; 250Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
595.00 грн
3+
413.71 грн
7+
391.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
27А(1478914)
Струм колектора в імпульсі
65А(1814613)
Час ввімкнення
20нс(1441676)
Час вимкнення
160нс(1640039)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
55нКл(1632980)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT15GP60BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418031
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 27А; 250Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
595.00 грн
3+
413.71 грн
7+
391.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
27А
Струм колектора в імпульсі
65А
Час ввімкнення
20нс
Час вимкнення
160нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
250Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
55нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g