0 0 0
  8. APT15GP90BDQ1G

Транзистори IGBT THT APT15GP90BDQ1G

 
APT15GP90BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418033
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 21А; 250Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
662.26 грн
3+
479.62 грн
6+
453.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 82 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
900В(1440903)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
21А(1586622)
Струм колектора в імпульсі
60А(1645252)
Час ввімкнення
23нс(1550973)
Час вимкнення
170нс(1492980)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
60нКл(1479310)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,073 g
 
Транзистори IGBT THT APT15GP90BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418033
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 21А; 250Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
662.26 грн
3+
479.62 грн
6+
453.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 82 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
900В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
21А
Струм колектора в імпульсі
60А
Час ввімкнення
23нс
Час вимкнення
170нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
250Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
60нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,073 g