0 0 0
  8. APT17F100B

Транзистори з каналом N THT APT17F100B

 
APT17F100B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429519
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 11А; Idm: 70А; 625Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 094.06 грн
2+
760.18 грн
4+
718.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
780мОм(1823184)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
150нКл(1479389)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT17F100B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429519
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 11А; Idm: 70А; 625Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 094.06 грн
2+
760.18 грн
4+
718.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
780мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
625Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
150нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g