0 0 0
  8. APT18F60B

Транзистори з каналом N THT APT18F60B

 
APT18F60B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429521
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; Idm: 65А; 335Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
550.28 грн
3+
382.56 грн
8+
361.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
370мОм(1593806)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
335Вт(1823188)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
90нКл(1479429)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
65А(1759382)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT18F60B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429521
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; Idm: 65А; 335Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
550.28 грн
3+
382.56 грн
8+
361.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
370мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
335Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
90нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
65А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g