0 0 0
  8. APT18M80B

Транзистори з каналом N THT APT18M80B

 
APT18M80B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 12А; Idm: 70А; 500Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
794.33 грн
2+
529.02 грн
6+
500.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
530мОм(1634371)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT18M80B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 12А; Idm: 70А; 500Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
794.33 грн
2+
529.02 грн
6+
500.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
530мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
500Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
0,12мкКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g