0 0 0
  7. APT200GN60JDQ4

Модули IGBT APT200GN60JDQ4

 
APT200GN60JDQ4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425667
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 331.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
158А(1814614)
Струм колектора в імпульсі
600А(1441748)
Використання
для UPS(1471489) 3-фазні двигуни BLDC(1492838) для індукційного навантаження(1490370)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT200GN60JDQ4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425667
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 331.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
158А
Струм колектора в імпульсі
600А
Використання
для UPS
Використання
3-фазні двигуни BLDC
Використання
для індукційного навантаження
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g