0 0 0
  7. APT200GT60JR

Модули IGBT APT200GT60JR

 
APT200GT60JR
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425668
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 289.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
100А(1441720)
Струм колектора в імпульсі
600А(1441748)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
NPT(1714552) Thunderblot IGBT®(1694424)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT200GT60JR
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425668
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 289.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
100А
Струм колектора в імпульсі
600А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
NPT
Технологія
Thunderblot IGBT®
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g