0 0 0
  8. APT20GN60SDQ2G

Транзистори IGBT SMD APT20GN60SDQ2G

 
APT20GN60SDQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418016
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 24А; 136Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
704.89 грн
3+
487.39 грн
6+
461.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
24А(1441030)
Струм колектора в імпульсі
60А(1645252)
Час ввімкнення
19нс(1634219)
Час вимкнення
290нс(1640206)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
136Вт(1740748)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT SMD APT20GN60SDQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418016
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 24А; 136Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
704.89 грн
3+
487.39 грн
6+
461.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
24А
Струм колектора в імпульсі
60А
Час ввімкнення
19нс
Час вимкнення
290нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
136Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,12мкКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g