0 0 0
  8. APT22F80B

Транзистори з каналом N THT APT22F80B

 
APT22F80B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429546
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 85А; 625Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 056.14 грн
2+
723.92 грн
4+
684.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
0,43Ом(1758483)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
150нКл(1479389)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
85А(1823191)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT22F80B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429546
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 85А; 625Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 056.14 грн
2+
723.92 грн
4+
684.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
0,43Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
625Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
150нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
85А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g