0 0 0
  8. APT23F60B

Транзистори з каналом N THT APT23F60B

 
APT23F60B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429547
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 80А; 415Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
658.90 грн
3+
457.63 грн
7+
432.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
415Вт(1740828)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT23F60B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429547
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 80А; 415Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
658.90 грн
3+
457.63 грн
7+
432.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
0,29Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
415Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
110нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g