0 0 0
  8. APT25GN120B2DQ2G

Транзистори IGBT THT APT25GN120B2DQ2G

 
APT25GN120B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418040
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 094.99 грн
2+
751.67 грн
4+
710.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
33А(1500586)
Струм колектора в імпульсі
75А(1694309)
Час ввімкнення
39нс(1694310)
Час вимкнення
560нс(1694311)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
272Вт(1742097)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
155нКл(1479498)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT25GN120B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418040
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 094.99 грн
2+
751.67 грн
4+
710.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
33А
Струм колектора в імпульсі
75А
Час ввімкнення
39нс
Час вимкнення
560нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
272Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
155нКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g