0 0 0
  8. APT25GP90BDQ1G

Транзистори IGBT THT APT25GP90BDQ1G

 
APT25GP90BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418044
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 36А; 417Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
872.14 грн
2+
871.34 грн
3+
826.61 грн
4+
824.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
900В(1440903)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
36А(1478918)
Струм колектора в імпульсі
110А(1750629)
Час ввімкнення
29нс(1757696)
Час вимкнення
190нс(1606185)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
417Вт(1741960)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,08 g
 
Транзистори IGBT THT APT25GP90BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418044
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 36А; 417Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
872.14 грн
2+
871.34 грн
3+
826.61 грн
4+
824.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
900В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
36А
Струм колектора в імпульсі
110А
Час ввімкнення
29нс
Час вимкнення
190нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
417Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
110нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,08 g