0 0 0
  8. APT25GR120SD15

Транзистори IGBT SMD APT25GR120SD15

 
APT25GR120SD15
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418018
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
881.91 грн
2+
606.46 грн
5+
573.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
25А(1440980)
Струм колектора в імпульсі
100А(1441718)
Час ввімкнення
26нс(1621606)
Час вимкнення
164нс(1694409)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
521Вт(1758470)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
154нКл(1694863)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) NPT(1714552)
Статус частини
Не рекомендується для нових проектів(1826122)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT SMD APT25GR120SD15
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418018
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
881.91 грн
2+
606.46 грн
5+
573.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
25А
Струм колектора в імпульсі
100А
Час ввімкнення
26нс
Час вимкнення
164нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
521Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
154нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
NPT
Статус частини
Не рекомендується для нових проектів
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g