0 0 0
  8. APT27GA90BD15

Транзистори IGBT THT APT27GA90BD15

 
APT27GA90BD15
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418048
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 27А; 223Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
699.63 грн
3+
487.18 грн
6+
460.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
900В(1440903)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
27А(1478914)
Струм колектора в імпульсі
79А(1814618)
Час ввімкнення
18нс(1444766)
Час вимкнення
281нс(1814619)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
223Вт(1740792)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
62нКл(1479423)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT27GA90BD15
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418048
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 27А; 223Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
699.63 грн
3+
487.18 грн
6+
460.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
900В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
27А
Струм колектора в імпульсі
79А
Час ввімкнення
18нс
Час вимкнення
281нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
223Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
62нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g