0 0 0
  8. APT28M120B2

Транзистори з каналом N THT APT28M120B2

 
APT28M120B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429553
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 18А; Idm: 104А; 1135Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 799.37 грн
2+
1 701.70 грн
3+
1 700.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
530мОм(1634371)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1135Вт(1742093)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
300нКл(1479621)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
104А(1759380)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT28M120B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429553
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 18А; Idm: 104А; 1135Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 799.37 грн
2+
1 701.70 грн
3+
1 700.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
530мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1135Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
300нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
104А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g