Транзистори з каналом N THT APT29F100L

 
APT29F100L
 
Артикул: 429555
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 19А; Idm: 120А; 1,04кВт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 031.86 грн
3+
975.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
19А(1479258)
Опір в стані провідності
440мОм(1694859)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,04кВт(1742092)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
260нКл(1479537)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT29F100L
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429555
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 19А; Idm: 120А; 1,04кВт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 031.86 грн
3+
975.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
19А
Опір в стані провідності
440мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,04кВт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
260нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g