0 0 0
  8. APT30F50B

Транзистори з каналом N THT APT30F50B

 
APT30F50B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429556
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 19А; Idm: 90А; 415Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
589.41 грн
3+
410.51 грн
7+
388.15 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
19А(1479258)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
415Вт(1740828)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
115нКл(1607626)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
90А(1797079)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT30F50B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429556
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 19А; Idm: 90А; 415Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
589.41 грн
3+
410.51 грн
7+
388.15 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
19А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
415Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
115нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
90А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g