0 0 0
  8. APT30GN60BDQ2G

Транзистори IGBT THT APT30GN60BDQ2G

 
APT30GN60BDQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418049
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 37А; 203Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
547.08 грн
3+
380.96 грн
8+
360.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
37А(1707685)
Струм колектора в імпульсі
90А(1705293)
Час ввімкнення
16нс(1441611)
Час вимкнення
255нс(1641392)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
203Вт(1814620)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
165нКл(1479367)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT30GN60BDQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418049
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 37А; 203Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
547.08 грн
3+
380.96 грн
8+
360.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
37А
Струм колектора в імпульсі
90А
Час ввімкнення
16нс
Час вимкнення
255нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
203Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
165нКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g