0 0 0
  8. APT30GP60BDQ1G

Транзистори IGBT THT APT30GP60BDQ1G

 
APT30GP60BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418051
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 49А; 463Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
947.51 грн
2+
763.56 грн
3+
762.77 грн
4+
721.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 32 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
49А(1500550)
Струм колектора в імпульсі
120А(1441628)
Час ввімкнення
31нс(1607628)
Час вимкнення
165нс(1640201)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
463Вт(1741877)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
90нКл(1479429)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,08 g
 
Транзистори IGBT THT APT30GP60BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418051
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 49А; 463Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
947.51 грн
2+
763.56 грн
3+
762.77 грн
4+
721.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 32 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
49А
Струм колектора в імпульсі
120А
Час ввімкнення
31нс
Час вимкнення
165нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
463Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
90нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,08 g