0 0 0
  8. APT30M70BVRG

Транзистори з каналом N THT APT30M70BVRG

 
APT30M70BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429564
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 300В; 48А; Idm: 192А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 029.27 грн
3+
973.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
48А(1441568)
Опір в стані провідності
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
225нКл(1694855)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
192А(1758519)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT30M70BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429564
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 300В; 48А; Idm: 192А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 029.27 грн
3+
973.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
48А
Опір в стані провідності
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
225нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
192А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g