0 0 0
  8. APT30M75BLLG

Транзистори з каналом N THT APT30M75BLLG

 
APT30M75BLLG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429566
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 44А; Idm: 176А; 329Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 222.65 грн
2+
838.89 грн
3+
838.09 грн
4+
792.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
44А(1479353)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
329Вт(1742136)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
57нКл(1479286)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
176А(1758592)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT30M75BLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429566
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 44А; Idm: 176А; 329Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 222.65 грн
2+
838.89 грн
3+
838.09 грн
4+
792.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
44А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
329Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
57нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
176А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g