0 0 0
  8. APT30M85BVRG

Транзистори з каналом N THT APT30M85BVRG

 
APT30M85BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429567
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 300В; 40А; Idm: 160А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 216.31 грн
2+
834.13 грн
4+
788.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
85мОм(1441495)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
195нКл(1694861)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
160А(1741661)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT30M85BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429567
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 300В; 40А; Idm: 160А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 216.31 грн
2+
834.13 грн
4+
788.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
85мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
195нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
160А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g