0 0 0
  8. APT33GF120B2RDQ2G

Транзистори IGBT THT APT33GF120B2RDQ2G

 
APT33GF120B2RDQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418052
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 368.97 грн
2+
1 294.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
30А(1440984)
Струм колектора в імпульсі
75А(1694309)
Час ввімкнення
31нс(1607628)
Час вимкнення
355нс(1814612)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
357Вт(1740831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
170нКл(1479526)
Технологія
NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT33GF120B2RDQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418052
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 368.97 грн
2+
1 294.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
30А
Струм колектора в імпульсі
75А
Час ввімкнення
31нс
Час вимкнення
355нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
357Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
170нКл
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g