0 0 0
  8. APT34N80B2C3G

Транзистори з каналом N THT APT34N80B2C3G

 
APT34N80B2C3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429575
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 34А; Idm: 102А; 417Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 174.28 грн
2+
808.76 грн
4+
764.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
34А(1441554)
Опір в стані провідності
0,145Ом(1743039)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
417Вт(1741960)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
355нКл(1705687)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
102А(1823198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT34N80B2C3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429575
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 34А; Idm: 102А; 417Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 174.28 грн
2+
808.76 грн
4+
764.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
34А
Опір в стані провідності
0,145Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
417Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
355нКл
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
102А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g